三星 990 EVO Plus 采用 PCIe® 4.0 x4 与 PCIe® 5.0 x2 双接口设计，兼容新老平台，顺序读取最高 7,250 MB/s。搭载最新 V-NAND 3-bit TLC 闪存与三星自研主控，配合 Intelli
| 型号 | MZ-V9S1T0BW |
| 容量 | 1TB |
| 接口 | PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2, NVMe™ 2.0 |
| 顺序读取 | 最高 7,150 MB/s |
| 顺序写入 | 最高 6,300 MB/s |
| 随机读取 | 最高 850K IOPS |
| 随机写入 | 最高 1,350K IOPS |
| 闪存类型 | 三星 V-NAND 3-bit TLC |
| 主控芯片 | 三星自研主控 |
| 缓存 | HMB 主机内存缓冲（无独立缓存） |
| 总写入量(TBW) | 600 TB |
| 外形规格 | M.2 2280 |
| 数据加密 | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 |
| 保修 | 5年或达到TBW为止 |