SK海力士发布大规模存储制造投资计划 SK海力士宣布将在韩国龙仁和清州两地分别新建存储晶圆厂，总投资达到约54万亿韩元（约373亿美元），以应对人工智能市场对高带宽存储芯片的持续需求。 龙仁Y2晶圆厂投资规模约35.2万亿韩元（约242亿美元），将主要用于生产HBM及下一代DRAM产品。该工厂建筑面积约113万平方米，计划于2027年7月开工，洁净室预计于2029年6月启用。同期建设的龙仁Y1晶圆厂首个洁净室计划于2027年2月启用，整个龙仁半导体产业集群将分阶段建设最多6个洁净室。 清州M17晶圆厂投资规模约19.1万亿韩元（约131亿美元），将作为新的NAND闪存生产基地，建筑面积约68万平方米。该工厂预计于2027年2月开工，洁净室将在2028年12月投入使用。 市场背景与建设计划调整 SK海力士引用市场研究机构Omdia的数据表示，从2025年至2030年，全球DRAM和NAND市场预计都将保持约19%的复合年增长率。需求增长主要受人工智能应用驱动，尤其体现在HBM等高性能存储产品领域。 值得注意的是，龙仁半导体产业集群的建设时间表已大幅提前。原计划于2045年