论坛聚焦闪存技术演进 全球存储峰会期间，闪存介质与SSD创新论坛将于2026年8月26日下午在武汉光谷皇冠假日酒店举行。论坛将邀请业内知名专家学者担任出品人，邀请闪存介质、SSD主控、企业级SSD及相关产业链企业代表沟通交流，共同探讨AI时代存储技术的发展路径。 从浮栅晶体管到高带宽闪存的技术脉络 闪存技术的发展历程体现了存储介质的持续演进。1967年浮栅晶体管的出现，为EPROM、EEPROM以及后来的闪存奠定了技术基础。此后，3D NAND把存储单元从平面结构推向垂直堆叠，显著提升了存储密度。PCIe和NVMe则逐步释放闪存的并行访问能力，推动企业级存储性能跃升。 面向AI推理场景，业界提出了高带宽闪存HBF，尝试借鉴HBM的堆叠与高带宽思路。据厂商测试，该技术利用NAND介质、晶圆键合和先进封装，在接近计算单元的位置提供更大的存储容量。这一设计理念反映了存储架构向计算靠近的发展趋势。 对存储选型与系统集成的潜在影响 从技术演进路径来看，存储介质的创新正在打破传统存储与计算之间的边界。企业级存储用户在规划基础设施时，可能需要重新评估存储层级架构。HBF等新型高带宽